特許
J-GLOBAL ID：200903030240519536
薄膜太陽電池用の統合集積化レーザ構造化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-504856
公開番号（公開出願番号）：特表平9-500236
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：
【要約】透明基体(サブストレート)及び透明フロント(前面)電極を有する薄膜太陽電池の構造化のためアクティブな半導体層及びバッキング電極は単一のステップでリフトオフされ、所要の構造溝が作成される。そのために、所要のエネルギがレーザパルスにより基体(サブストレート)及びフロント(前面)電極を通って半導体材料内に入力照射される。当該の半導体材料は被照射領域にて残滓なしにフロント(前面)電極からアブレーション除去される。隣接するソーラーセルストリップ間の相互接続(インターコネクション)は生成される構造溝の直ぐ傍らで更なる照射により達成され、そして、半導体層の相変化により低オーム領域が生成され、上記領域により第1のステップ状のソーラーセルのバッキング電極が第2のストリップ状のソーラーセルのフロント(前面)電極と接続せしめられる。
請求項（抜粋）：
薄膜太陽電池の直列形相互接続(インターコネクション)方法において、下記の方法ステップを有し、a)透明基板(S)上に透明なフロント(前面)電極(FE)を面全体に亘って堆積(デポジション)するステップ:b)電極層(FE)をn形電極ストリップ(FE1,
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 S
, H01L 21/20
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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