特許

J-GLOBAL ID：200903030243617520

試料の分離方法及びこの分離方法で得た分離試料の分析方法

発明者： 大西 毅 ,  石谷 亨
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210803
公開番号（公開出願番号）：特開平5-052721
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月02日
要約：

【要約】【目的】 集積回路チップや半導体ウェハーの任意の箇所を分離するに当り、チップやウェハーを割ることなく当該箇所の部分を分離し、分離した試料を任意の位置に搬送し又は任意の姿勢にセットし、TEM、SEM、SIMS等のその他の各種の分析を可能にする。【構成】 FIBによる三次元微細加工技術とマイクロマニピュレーション技術により微細な試料片を試料基板から切り出して分離する。試料基板の表面に対し少なくとも二種類の角度からFIBで加工し、分析対象部を含む試料の一部を分離する工程中に、外部から別個に導入したプローブに分離試料を機械的に接続する。分離した試料はプローブで支持され、搬送される。分離試料に対しTEM、SEM、SIMSその他の分析が行われる。

請求項（抜粋）：

試料の表面に対し、少なくとも2つの異なる角度の方向から集束イオンビームを照射して前記試料を集束イオンビーム加工し、前記試料の一部を分離する方法であり、前記試料の一部を分離する前に、外部から導入されたプローブを、分離される前記一部に接続し、前記試料の一部を支持するようにしたことを特徴とする試料の分離方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-020946
  
• 特開平3-166744
  
• 特開平3-036285