特許

J-GLOBAL ID：200903030247113012

細線状シリコン製造用坩堝および細線状シリコン

発明者： 福田 承生 ,  阪口 新 ,  上岡 正嗣 ,  山田 透
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-326039
公開番号（公開出願番号）：特開平8-183694
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 MPD法において融解したシリコンを保持する坩堝の破損を防止し、長尺な細線状シリコンを安定に、かつ大量に製造する。【構成】 かさ比重が 1.80g/cm3以上、炭素粒子の最大粒径が15μm以下で、気体透過率が5×10-2cm2/sec 以下の黒鉛より形成され、炭素粒子間の空隙を有する坩堝内面の面粗さが20μm以下であることを特徴とする、底部に細孔を貫通させた細線状シリコン製造用坩堝およびMPD法において前記坩堝を用いて製造された細線状シリコン。

請求項（抜粋）：

かさ比重が 1.80g/cm3以上、炭素粒子の最大粒径が15μm以下で、気体透過率が5×10-2cm2/sec 以下の黒鉛より形成され、炭素粒子間の空隙を有する坩堝内面の面粗さが20μm以下であることを特徴とする、底部に細孔を貫通させた細線状シリコン製造用坩堝。

IPC (8件)：

C30B 29/06 503 ,  C01B 31/04 101 ,  C04B 35/52 ,  C30B 15/08 ,  C30B 15/10 ,  C30B 15/34 ,  G02B 6/00 371 ,  H01L 21/208