特許
J-GLOBAL ID:200903030248394376

エッチング可能な複数金属組成の形成による金属パタ-ニング

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 坂口 博 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-000104
公開番号(公開出願番号):特開平11-265985
出願日: 1999年01月04日
公開日(公表日): 1999年09月28日
要約:
【要約】【課題】 金属自身がエッチングしにくい場合の、パターン化金属電極を形成する方法を提供することである。【解決手段】 エッチングしにくい金属のパターンが、エッチングしにくい金属が除去される領域において、エッチングしにくい金属をエッチング可能な複数金属組成に変換することにより形成される。本発明の方法は、犠牲金属組成層7及び露出領域上に、エッチングしにくい金属の層8を付着するステップと、犠牲金属組成層7とエッチングしにくい金属8との反応により、エッチング可能な複数金属組成を形成するステップと、エッチング可能な複数金属組成を選択的に除去し、パターニングされたエッチングしにくい金属層を表面上に残すステップとを含む。
請求項(抜粋):
パターニングされたエッチングしにくい金属層を形成する方法であって、表面上に、揮発性ハロゲン化合物を容易に形成不能なエッチングしにくい金属と反応して、エッチング可能な複数金属組成を形成する犠牲金属組成のパターニングされた層を、前記エッチングしにくい金属が続いて除去されるべき前記表面上の領域に形成するステップと、前記犠牲金属組成層及び前記犠牲金属組成層で覆われていない領域上に、前記エッチングしにくい金属の層を付着するステップと、前記犠牲金属組成層を覆う前記エッチングしにくい金属と、前記犠牲金属組成との反応によりエッチング可能な複数金属組成を形成するステップと、前記エッチング可能な複数金属組成を選択的に除去し、前記パターニングされたエッチングしにくい金属層を前記表面上に残すステップとを含む、方法。
IPC (8件):
H01L 27/10 451 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件):
H01L 27/10 451 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/306 F ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特開昭48-068437

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