特許

J-GLOBAL ID：200903030253106869

半導体装置の製造方法およびワイヤボンディング方法ならびにワイヤボンディング装置

発明者： 玉井 義明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  アキタ電子株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071581
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270487
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 ワイヤのループ高さを低くしてパッケージの薄型化を図る。【解決手段】 半導体チップの周囲に先端を臨ませた複数のリードを有するリードフレームを用意する工程と、ネイルヘッド・ボンディングによって前記半導体チップの電極と前記リードの先端を導電性のワイヤで接続する工程と、前記半導体チップおよびワイヤならびにリードの先端部分等を絶縁性樹脂で封止する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記ネイルヘッド・ボンディングにおけるワイヤ先端のボール化をボール直上のワイヤの再結晶長さを短くするようにレーザ光を前記ワイヤ先端のみに照射してボールを形成する。前記ワイヤ先端の位置を検出した後、前記位置検出情報に基づいて前記レーザ光の照射位置を補正して前記ワイヤ先端にレーザ光を照射して前記ボールを形成する。前記キャピラリを振動させて前記ワイヤに振動を加えてワイヤの接続を行う。

請求項（抜粋）：

半導体チップの周囲に先端を臨ませた複数のリードを有するリードフレームを用意する工程と、ネイルヘッド・ボンディングによって前記半導体チップの電極と前記リードの先端を導電性のワイヤで接続する工程と、前記半導体チップおよびワイヤならびにリードの先端部分等を絶縁性樹脂で封止する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記ネイルヘッド・ボンディングにおけるワイヤ先端のボール化をボール直上のワイヤの再結晶長さを短くするようにレーザ光を前記ワイヤ先端のみに照射してボールを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/607

FI (3件)：

H01L 21/60 301 H ,  H01L 21/60 301 D ,  H01L 21/607 B