特許
J-GLOBAL ID：200903030253950732
広帯域の二重線形および円偏波されたフェイズドアレイ用の低プロフィールの集積された放射器タイル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206747
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044753
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、コンパクトな積層ディスク放射器素子を使用する平坦で、低プロフィールのフェイズドアレイアンテナの素子を得ることを目的とする。【解決手段】 接地平面22とバイア転移部24a, 24bとを有する下部誘電体層20と、バイア転移部24a, 24bに結合された90°ハイブリッド結合回路30, 32を備えた結合回路層30と、下部、上部接地平面52, 54と180 °ハイブリッド結合回路53と結合回路53と30, 32との間に選択的に接続された複数のRF転移部47と180 °ハイブリッド結合回路53に結合されているRF転移部56とを備えたバラン層50と、複数の接地バイア55,34,ア57と、上部表面にアクティブ放射器64を有する誘電体パック62と、アクティブ放射器64に隣接する上部誘電体層60と、上部誘電体層60に隣接して配置された寄生放射器66と、1対の励起プローブ63とを有する積層されたディスク放射器とを具備していることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
フェイズドアレイアンテナで使用する集積された放射器タイルにおいて、露出された表面に配置された接地平面と、下部誘電体層を通って形成される第1および第2のバイア転移部とを有する下部誘電体層と、下部誘電体層に隣接し、それぞれ第1および第2のバイア転移部に結合されている90°ハイブリッド結合回路を具備している結合回路層と、結合回路層に隣接し、対向する表面に形成された下部および上部接地平面と、180°ハイブリッド結合回路と、180°ハイブリッド結合回路と90°ハイブリッド結合回路との間に選択的に接続された複数のRF転移部と、180°ハイブリッド結合回路に結合されている複数の放射器からのRF転移部とを具備しているバラン層と、バラン層の下部接地平面と上部接地平面を相互接続する複数の接地バイアと、バラン層の下部接地平面と下部誘電体層の接地平面とを相互接続する複数の接地バイアと、各放射器からのRF転移部を包囲する複数の接地バイアと、バラン層に隣接し、上部表面上に形成されたアクティブ放射器を有する誘電体パックと、アクティブ放射器に隣接する上部誘電体層と、上部誘電体層に隣接して配置された寄生放射器と、放射器からのRF転移部とアクティブ放射器との間に結合されている1対の励起プローブとを有する積層されたディスク放射器とを具備していることを特徴とする集積された放射器タイル。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (14件)：
5J021AA05
, 5J021AA09
, 5J021AA11
, 5J021AB06
, 5J021CA03
, 5J021DB03
, 5J021FA34
, 5J021GA02
, 5J021HA04
, 5J021HA07
, 5J021JA02
, 5J021JA05
, 5J021JA07
, 5J021JA08
