特許

J-GLOBAL ID：200903030254834981

配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびその形成方法

発明者： 光井 彰
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-102693
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297584
出願日： 2002年04月04日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】低抵抗でパターニング性能に優れ、かつ、UVオゾン処理、または酸素プラズマ処理時に発生するオゾンに対して耐性の高い、配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびその形成方法の提供。【解決手段】基体1上にCuの含有率が95質量%超であるCu金属またはCu合金からなる層2aと、その上に、Cuの含有率が50質量%以上95質量%以下であるCu合金からなる層2bの少なくとも2層を有する配線付き基体形成用積層体、配線付き基体、およびその形成方法を提供する。

請求項（抜粋）：

基体上にCuの含有率が95質量%超であるCu金属またはCu合金からなる層と、その上に、Cuの含有率が50質量%以上95質量%以下であるCu合金からなる層の少なくとも2層を有する配線付き基体形成用積層体。

IPC (5件)：

H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05K 1/09 ,  H05K 3/06

FI (5件)：

H05B 33/26 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05K 1/09 C ,  H05K 3/06 A

Fターム (37件)：

3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007CC00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4E351AA13 ,  4E351AA19 ,  4E351BB01 ,  4E351BB23 ,  4E351BB24 ,  4E351BB32 ,  4E351BB38 ,  4E351CC03 ,  4E351DD04 ,  4E351DD08 ,  4E351DD19 ,  4E351DD35 ,  4E351DD45 ,  4E351DD58 ,  4E351GG01 ,  4E351GG13 ,  5E339AB05 ,  5E339AD01 ,  5E339BC01 ,  5E339BC02 ,  5E339BC05 ,  5E339BD03 ,  5E339BD05 ,  5E339BE13 ,  5E339CC01 ,  5E339CD01 ,  5E339CE12 ,  5E339CE15 ,  5E339CF15 ,  5E339DD02 ,  5E339FF10 ,  5E339GG10