特許

J-GLOBAL ID：200903030256001413

気相成長装置および気相成長方法

発明者： 根本 隆弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-276796
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039146
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】 容器の内壁を腐食させずに、簡単な構成で、装置の稼働率を向上して、容器の内壁に堆積する堆積物を確実に除去することができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。【解決手段】 供給管24には、キャリアガス供給源23からのキャリアガスが供給されるとともに、原料ガス生成手段25からの原料ガスが供給される。これによってチャンバ22の内部空間28に、キャリアガスとともに原料ガスが供給され、チャンバ22内の基板27の表面に薄膜が形成される。この薄膜の形成と同時に、チャンバ22の内壁29に堆積物が生成される。前記堆積物を除去するために、キャリアガス活性手段26が設けられる。キャリアガス活性手段26は、前記供給管24を介してチャンバ22内に供給されるキャリアガスを活性化して、再び前記供給管24に供給する。これによってチャンバ22の内部空間28に、活性化したキャリアガスが供給される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板を収容する内部空間を有する容器と、 キャリアガス供給源と、 前記キャリアガス供給源からのキャリアガスを、前記容器の内部空間に導く供給管と、 原料ガスを生成し、この原料ガスを前記供給管に供給する原料ガス生成手段と、 前記キャリアガスを活性化して、前記供給管に供給するキャリアガス活性手段とを含むことを特徴とする気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/452

FI (3件)：

H01L21/205 ,  C23C16/44 J ,  C23C16/452

Fターム (26件)：

4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030CA04 ,  4K030DA01 ,  4K030DA06 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030KA08 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045BB15 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EB06 ,  5F045EE06 ,  5F045EE07 ,  5F045EH18

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平1-218010号公報
  
• 特開平3-28191号公報