特許

J-GLOBAL ID：200903030260309538

化合物半導体薄膜の製造方法およびこれを用いた太陽電池、ならびに化合物半導体薄膜の組成判別方法、ならびに薄膜形成装置

発明者： 佐藤 琢也 ,  根上 卓之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-244832
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068484
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 I族元素とIII族元素とVI族元素とを含む化合物半導体薄膜の製造方法において、組成を容易に制御することができる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 I族元素とIII族元素とVI族元素とを基体上に供給することによって、化合物半導体薄膜を基体上に形成する際に、化合物半導体薄膜の組成によって化合物半導体薄膜の温度変化速度が異なることを利用して化合物半導体薄膜の組成を制御する。

請求項（抜粋）：

I族元素とIII族元素とVI族元素とを含む化合物半導体薄膜の製造方法において、前記I族元素と前記III族元素と前記VI族元素とを基体上に供給することによって、前記化合物半導体薄膜を前記基体上に形成する薄膜形成工程を含み、前記薄膜形成工程の際に前記化合物半導体薄膜の組成によって前記化合物半導体薄膜の温度変化速度が異なることを利用して前記化合物半導体薄膜の組成を制御することを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/363 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/363 ,  H01L 31/04 E

Fターム (8件)：

5F051AA10 ,  5F051CB15 ,  5F051CB29 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F103DD30 ,  5F103LL04 ,  5F103NN03