特許

J-GLOBAL ID：200903030263007290

バイポーラトランジスタ及びその製造方法

発明者： 嶋崎 隆章
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-316313
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124224
出願日： 2001年10月15日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 バイポーラトランジスタにおいて、寄生容量及び接触抵抗を低減し、高速化を図ることにある。また、ベース領域とベース電極とを確実に連結することにある。小型化及び製造コストの低減を図ることにある。【解決手段】 n型サブコレクタ103上に同程度の不純物濃度を有するバッファ層109を形成し、バッファ層109の表面から上方向に真性ベース層111aを成長させると共に、ベース電極107aの側壁から引出ベース層111bを水平方向に成長させ、真性ベース層111a及び引出ベース層111bを連結することにより、ベース領域111を形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1領域と、前記第1領域に電気的に接続されて形成された第1電極と、前記第1領域の表面の一部に形成された絶縁膜と、前記第1領域の表面の一部に電気的に連結された第1導電型の第2領域と、前記第2領域を露出する開口を有して前記絶縁膜上に形成された第2電極と、前記第2領域上に成長した第1成長層と、前記開口内において前記第2電極の側壁に成長し、前記第1成長層に連結された第2成長層とを有する第2導電型の第3領域と、前記第3領域に電気的に接続されて形成された第1導電型の第4領域と、前記第4領域に電気的に接続されて形成された第3電極と、を備えるバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/732 ,  H01L 29/737

FI (2件)：

H01L 29/72 S ,  H01L 29/72 H

Fターム (15件)：

5F003AP05 ,  5F003BB01 ,  5F003BB07 ,  5F003BB08 ,  5F003BC08 ,  5F003BE07 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM01 ,  5F003BM08 ,  5F003BP34 ,  5F003BP96 ,  5F003BP97 ,  5F003BS06 ,  5F003BS08