特許
J-GLOBAL ID：200903030265705199
電極の形成方法及びその形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151687
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014805
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 従来よりも低温の加熱処理による電極の形成方法及びその形成装置を提供する。【構成】 n型ZnSeを有機洗浄などによって清浄な状態とし、真空容器1b内の基板ホルダ2bに装着する。ここで、真空度は1×10-8Torr程度である。ヒータ2cによって基板ホルダ2bごと予備加熱処理を施し、n型ZnSeの表面に付着している水分や有機物を除去する。予備加熱処理は200°Cで15分間にわたって行う。同時に、マスク3bを、1000°Cで1時間にわたって焼き出しし、マスク3bのガス出しを行う。基板温度を200°Cに保ったまま、焼き出ししたマスク3bを基板表面に移動させる(3a)。表面にハロゲンランプ (ヨウ素タングステンランプ60W)4bの光4cを集光して照射しながら、Inの分子線5cを1×10-6Torrの圧力で1時間にわたって照射する。
請求項（抜粋）：
半導体を、その成長温度よりも低い温度に加熱し、前記半導体の表面に、その禁制帯幅よりも高いエネルギーの光を照射しながら、金属電極材料を蒸着する電極の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, C23C 14/24
, H01L 21/203
