特許

J-GLOBAL ID：200903030266932350

半導体製造装置

発明者： 村岡 泰嗣
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-030684
公開番号（公開出願番号）：特開2002-234793
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル成長の反応中に、エピタキシャル成長炉内に置かれた成長ウエハのエピタキシャル成長の状況を観察して、その結果を制御系にフィードバックする。【解決手段】 MOCVD装置等の構成要素をなす反応炉(エピタキシャル成長炉)内で成長中のモニタウエハ13を、X線発生装置2からの特性X線で第1結晶3を介してスキャンし、基板(ウエハ)とモニタウエハ13との回折ピークを回折X線検出装置で検出し、その結果を、エピタキシャル成長を制御する制御系にフィードバックする。特性X線の入射角の角速度は、所定の角速度ωを維持してスキャンするが、この角速度ωを、モニタウエハ13を保持している静止サセプター11の回転の角速度ω’と比較した場合に、ω>>ω’が成立するように機械系を設定している。

請求項（抜粋）：

原料ガスの供給を受けて試料基板上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長炉を備えた半導体製造装置において、前記エピタキシャル成長炉内の受け皿に、静止または略静止しているモニタウエハを載置する手段と、前記モニタウエハにおけるエピタキシャル成長の状況を、X線回折装置でリアルタイムに観察して観察結果を得る手段と、前記観察結果を、前記エピタキシャル成長を制御する制御系にフィードバックする手段と、を備えたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

C30B 25/16 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 25/16 ,  C30B 29/40 502 A ,  H01L 21/205

Fターム (23件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077BE21 ,  4G077BE47 ,  4G077DB08 ,  4G077EH06 ,  4G077TJ01 ,  4G077TJ16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB37 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF19 ,  5F045BB04 ,  5F045DP27 ,  5F045DP28 ,  5F045EM02 ,  5F045EM10 ,  5F045GB10