特許
J-GLOBAL ID:200903030268040252
静電チャック
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-183536
公開番号(公開出願番号):特開2004-349666
出願日: 2003年05月23日
公開日(公表日): 2004年12月09日
要約:
【課題】ウエハの大口径化、温度制御に関して、半導体素子量産現場で主流になりつつある12インチシリコンウエハに対する静電チャック装置の確実な吸着性と、極温状態400°C以上での処理を可能にする静電チャックを安価に提供することを課題とする。【解決手段】絶縁誘電体部は高温下の積層融着技法を取り入れる。窒化アルミのグリーンシートを焼結、整形した後に吸着電極形成の金属ペーストを一つの焼結体に塗布し、複数の焼結体を高温下で圧着させる。また絶縁誘電体の体積低効率を吸着面側と、その他の部分で吸着効果が最適となるよう変化させることにより、吸着力の均一性を図る。複数の絶縁誘電体層の二つ以上の異なる層間に吸着電極と電熱ヒーターのパターンを形成する。また恒温基盤には多孔質構造の炭化シリコン(SiC)母材にアルミニュウームを含浸し、絶縁誘電体と吸着電極で形成される吸着部とアルミニュームでロウ付けする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
複数の誘電体板を積層して形成する静電チャックにおいて、吸着表面側の第一の前記誘電体層の体積抵抗率を1×1010〜1012Ω・cmとし、この誘電体層から見て、前記吸着面と反対側に位置する第二の誘電体層の体積抵抗率を1×1014Ω・cm以上とする絶縁誘電体部を有する静電チャック。
IPC (4件):
H01L21/68
, H05B3/10
, H05B3/20
, H05B3/74
FI (4件):
H01L21/68 R
, H05B3/10 C
, H05B3/20 393
, H05B3/74
Fターム (27件):
3K034AA02
, 3K034AA20
, 3K034AA34
, 3K034AA37
, 3K034BB06
, 3K034BB14
, 3K034BC17
, 3K034JA02
, 3K092PP20
, 3K092QA05
, 3K092QB02
, 3K092QB33
, 3K092QB43
, 3K092QB75
, 3K092QB76
, 3K092RF03
, 3K092RF26
, 5F031CA02
, 5F031HA02
, 5F031HA16
, 5F031HA18
, 5F031HA19
, 5F031HA37
, 5F031MA28
, 5F031MA32
, 5F031PA26
, 5F031PA30
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