特許
J-GLOBAL ID：200903030269933021
不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-209601
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055442
出願日： 1995年08月17日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】この発明はメモリセルのゲート電極の加工を容易化でき、ソース、ドレイン領域に注入したイオンを活性化して注入ダメージを回復し得るだけの後酸化を行うことができる不揮発性半導体記憶装置とその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板201 上に第1の絶縁膜203 を形成し、この上に浮遊ゲート電極208,第2の絶縁膜206,制御ゲート電極209 とからなるゲート電極G を形成した後、半導体基板201 にソース、ドレイン領域を形成し、この後、後酸化してゲート電極G を熱酸化膜212 で覆う。次に、層間絶縁膜213 を堆積し、この層間絶縁膜213 を平坦化して制御ゲート電極209 の上面を露出させる。この露出した制御ゲート電極209 にサリサイドプロセスによってチタンシサイド層214 を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜の上に設けられた浮遊ゲート電極と第2のゲート絶縁膜及び制御ゲート電極の積層構造からなるゲート電極と、このゲート電極の両側に位置する前記半導体基板内に設けられたソース及びドレイン領域と、前記ゲート電極の両側に位置する前記第1のゲート絶縁膜の上に設けられ、上面が前記制御ゲート電極の上面と同一高さとされた絶縁膜と、前記制御ゲート電極の上面に設けられた高融点金属からなる導電層とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
