特許
J-GLOBAL ID：200903030275848648
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-258769
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097518
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 高信頼性かつ長寿命のII-VI族化合物半導体を用いた青色ないし緑色発光の半導体発光素子を実現する。【構成】 クラッド層や活性層の材料としてII-VI族化合物半導体を用いた半導体レーザーや発光ダイオードなどの半導体発光素子において、活性層を、三元のZnCdSeにZn、CdおよびSeよりも原子半径が小さいSを加えた四元のZnCdSSeにより構成する。あるいは、活性層を、二元のZnSeにZnおよびSeよりも原子半径が小さいSを加えた三元のZnSSeにより構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に積層された第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上に積層された活性層と、上記活性層上に積層された第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第1のクラッド層および上記第2のクラッド層は、Zn、Mg、Cd、HgおよびBeから成る群より選ばれた少なくとも一種のII族元素とSe、TeおよびSから成る群より選ばれた少なくとも一種のVI族元素とにより構成されたII-VI族化合物半導体から成り、上記活性層は、Zn、Mg、Cd、HgおよびBeから成る群より選ばれた少なくとも一種のII族元素とS、SeおよびTeから成る群より選ばれた少なくとも一種のVI族元素とこれらのII族元素およびVI族元素よりも原子半径が小さい少なくとも一種のII族元素またはVI族元素とにより構成されたII-VI族化合物半導体から成ることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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