特許

J-GLOBAL ID：200903030278984224

受光素子及び受光素子アレイ並びにそれらを用いた電解装置

発明者： 中田 仗祐
出願人/特許権者： 中田 仗祐
代理人 (1件)： 矢野 正行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284217
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125210
出願日： 1994年10月24日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】単結晶で光電変換効率が高く、リーク電流が小さく、長寿命で信頼性の高い受光素子1及び受光素子アレイ並びにこれらを用いた電解装置を提供する。【構成】p型半導体からなる基材2と、その基材2表面から先端が球状をなすように一体的に突出するとともに、その球状表面部分にはn型の半導体層が設けられて、そのn型半導体層と基材2との間に形成された球状のpn接合面を有する受光部3と、前記球状表面部分の一部とオーミック接触するよう導電材料にて形成された表面電極4と、前記基材2の裏面に導電材料にてオーミック接触するよう形成された裏面電極5とを備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

p型又はn型半導体からなる基材と、その基材表面から先端が球状をなすように一体的に突出するとともに、その球状表面部分には前記基材と異なる伝導型の半導体層が設けられて、その半導体層と基材との間に形成された球状のpn接合面を有する受光部と、前記球状表面部分の一部とオーミック接触するよう導電材料にて形成された表面電極と、前記基材の裏面に導電材料にてオーミック接触するよう形成された裏面電極とを備えることを特徴とする受光素子。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C25B 9/00 319 ,  H01L 31/042 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 C ,  H01L 31/10 A