特許
J-GLOBAL ID：200903030279944889
基準電圧発生装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-181601
公開番号（公開出願番号）：特開2007-004336
出願日： 2005年06月22日
公開日（公表日）： 2007年01月11日
要約：
【課題】温度変化/電圧変動に依存性しない複数出力の基準電圧発生回路。【解決手段】電源電圧変動/温度変化の影響を受け無いバイアス電圧発生回路と、チャンネル幅とチャンネル長の比が実質的に等しい2つのNMOS型トランジスタを直列に接続して構成した第1〜第H(Hは2以上の正の整数)の直列回路と、これらの直列回路に電流を供給する電流供給源とを備え、前記夫々の直流回路を構成するNMOS型トランジスタのゲートとドレインとを接続し、前記第1の直列回路の一方のNMOS型トランジスタのゲートに前記バイアス電圧発生回路の直流出力電圧を印加し、他方のNMOS型トランジスタの出力端子に前記直流出力電圧の2倍の直流出力電圧を発生させ、第H-1の直列回路の出力電圧を第Hの直列回路の相互接続点に印加し、他方のNMOS型トランジスタの出力端子に前記バイアス電圧発生回路の直流出力電圧に(H+1)倍の直流出力電圧を発生させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
実質的に電源電圧の変動及び温度変化の影響を受けることの無い直流出力電圧を発生するバイアス電圧発生回路と、チャンネル幅とチャンネル長の比が実質的に等しい2つのNMOS型トランジスタを直列に接続して構成した第1〜第H(Hは2以上の正の整数)の直列回路と、これらの直列回路に電流を供給する電流供給源とを備え、前記夫々の直流回路を構成する2つのNMOS型トランジスタの個々のゲートとドレインとを接続し、前記第1の直列回路の一方のNMOS型トランジスタのゲートに前記バイアス電圧発生回路の直流出力電圧を印加し、他方のNMOS型トランジスタの出力端子に前記直流出力電圧の2倍の直流出力電圧を発生させ、前記第Hの直列回路の一方のNMOS型トランジスタのゲートに前記バイアス電圧発生回路の直流出力電圧を印加するとともに、第H-1の直列回路の出力電圧を第Hの直列回路の相互接続点に印加し、他方のNMOS型トランジスタの出力端子に前記バイアス電圧発生回路の直流出力電圧の(H+1)倍の直流出力電圧を発生させることを特徴とする基準電圧発生装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (13件)：
5H420NA17
, 5H420NA28
, 5H420NB02
, 5H420NB14
, 5H420NB15
, 5H420NB19
, 5H420NB25
, 5H420NB33
, 5H420NB36
, 5H420NC02
, 5H420NC15
, 5H420NC23
, 5H420NE23
出願人引用 (3件)
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基準電圧回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-300733
出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
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特開昭53-054491
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基準電圧発生回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-077898
出願人：日本電気株式会社
審査官引用 (3件)
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基準電圧回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-300733
出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
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特開昭53-054491
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基準電圧発生回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-077898
出願人：日本電気株式会社
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