特許

J-GLOBAL ID：200903030281353502

MOSトランジスタを備える半導体素子及びその製造方法

発明者： 金 ▲ミン▼▲ジュ▼ ,  李 鐘鎬 ,  韓 成基 ,  丁 炯碩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-180252
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013182
出願日： 2006年06月29日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】MOSトランジスタを備える半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型の第1チャンネルが形成される第1MOSトランジスタ、及び第1導電型とは異なる第2導電型の第2チャンネルが形成される第2MOSトランジスタを有するCMOSトランジスタを備える半導体素子において、第1MOSトランジスタは、第1ゲート絶縁膜、及び第1ゲート絶縁膜上に形成され、第1金属と第2金属との合金からなる第1金属合金層を備える第1ゲート電極を備える半導体素子である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1チャンネルが形成される第1MOSトランジスタ、及び前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2チャンネルが形成される第2MOSトランジスタを有するCMOSトランジスタを備える半導体素子において、 前記第1MOSトランジスタは、 第1ゲート絶縁膜と、 前記第1ゲート絶縁膜上に形成され、第1金属と第2金属との合金からなる第1金属合金層を備える第1ゲート電極と、を備えることを特徴とする半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (5件)：

H01L27/08 321D ,  H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301A

Fターム (45件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BF06 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF16 ,  5F140BF21 ,  5F140BF24 ,  5F140BF35 ,  5F140BG26 ,  5F140BG27 ,  5F140BG31 ,  5F140BG33 ,  5F140BG37