特許
J-GLOBAL ID：200903030286820273

半導体装置及びその製造方法

発明者：
米屋 伸英

米屋 伸英 について

, 
木村 典生

木村 典生 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-219647
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041219
出願日： 2004年07月28日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】優れた特性を有するボトムゲート/ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタは、支持体11上に形成されたゲート電極12、支持体11及びゲート電極12上に形成されたゲート絶縁層13、ソース/ドレイン電極15、並びに、ソース/ドレイン電極15間に位置するゲート絶縁層13の部分の上及びソース/ドレイン電極15の上に形成された半導体層16から成り、ソース/ドレイン電極15は、ゲート絶縁層内13に埋め込まれている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)支持体上に形成されたゲート電極、 (B)支持体及びゲート電極上に形成されたゲート絶縁層、 (C)ソース/ドレイン電極、並びに、 (D)ソース/ドレイン電極とソース/ドレイン電極との間に位置するゲート絶縁層の部分の上及びソース/ドレイン電極の上に形成された半導体層、 から成る電界効果型トランジスタであって、 ソース/ドレイン電極は、ゲート絶縁層内に埋め込まれていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05
FI (4件)：
H01L29/78 616S ,  H01L29/78 627A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28
Fターム (21件)：
5F110AA01 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE43 ,  5F110FF02 ,  5F110FF28 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HM02 ,  5F110QQ14 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
  • 特開昭59-050566
  • 特開平1-259563
  • インバータ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-057574   出願人：三菱電機株式会社, 住友化学工業株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM