特許

J-GLOBAL ID：200903030288094464

半導体発光素子の製造方法

発明者： 皆川 重量 ,  田中 俊明 ,  石谷 善博 ,  大歳 創
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-039443
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249830
出願日： 1994年03月10日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 AlGaInN系エピタキシャル結晶にファブ・リペロー・キャビテイを形成する半導体発光素子の製造方法を提供する。【構成】 ウルツ鉱型結晶構造を有するAlGaInN系のエピタキシャル結晶において、エピタキシャル結晶面に垂直に溝を切り、溝の側面上にエピタキシャル結晶を成長せしめることによって良好なファブリ・ペロー・キャビテイを形成する。具体的には図1に示すとおり、AlGaInN系エピタキシャル結晶層12-16に溝18を掘り、その側壁に結晶成長層19をつけることによって平坦な反射面が形成される。【効果】 AlGaInN系のエピタキシャル結晶に従来困難であったファブリ・ペロー・キャビテイを作り込むことが出来る。

請求項（抜粋）：

AlGaInN系窒化物結晶の(0001)エピタキシャル結晶層の表面を保護膜で保護し、ついで該(0001)面と直角に交わる相対する結晶面を露出形成し、しかるのちに該露出結晶面上にAlGaInN系の結晶を成長し、最後に上記保護膜を取り去ることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00