特許
J-GLOBAL ID：200903030288151603
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181687
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015448
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】製造が容易で多量生産に適したスーパージャンクションを備える低損失電力用半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体にイオンを選択的に照射することにより半導体中に第1、第2導電型の領域を形成する際、加速エネルギーと照射領域幅とを制御することにより半導体中の第1、第2導電型の領域がイオンの照射方向に沿って一様な幅と濃度とを有するようにして良好なスーパージャンクションを形成する。また、P+型シリコンインゴットにコリメートされた中性子線を選択的に照射することにより、中性子線の入射方向に沿ってP+型シリコンインゴット中に一様な幅と濃度を有するN+型導電性領域を形成することにより、高精度なスーパージャンクションを備える低損失電力用半導体装置の製造方法を提供することができる。
請求項（抜粋）：
半導体に不純物イオンを選択的に照射することにより、少なくとも第1導電型の領域及び第2導電型の領域のいずれかを前記半導体中に形成する半導体装置の製造方法において、前記第1、第2導電型の領域の不純物濃度が照射方向に沿って一定であって、かつ、前記照射方向に直角な面内における前記第1、第2導電型の領域の断面形状と断面積とが前記照射方向に沿って一定となるように、前記不純物イオンの加速エネルギーと前記不純物イオンの照射領域の面積とを制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01L 21/261
, H01L 21/266
H01L 21/265 F
, H01L 21/26 N
, H01L 21/265 M
