特許
J-GLOBAL ID:200903030290458538

LEDデバイスおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 宮島 明 ,  土屋 繁
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-067149
公開番号(公開出願番号):特開2009-224536
出願日: 2008年03月17日
公開日(公表日): 2009年10月01日
要約:
【課題】LEDを実装する面に導電性と反射特性を持たせるため、LED発光光が照射される配線導体部表面に反射率の高い銀メッキを施した表面実装型LEDデバイスが多く用いられている。しかし、短波長で高輝度のLEDチップを用いた照明用白色LEDデバイスの高輝度化が望まれている中で上記表面実装型LEDデバイスは、銀の変色による輝度や色度の安定性や長寿命化に対して問題があった。【解決手段】LEDチップを実装し配線した後に、SiO2コーティング液を塗布し、加熱処理を施す工程を通常のLEDデバイスを作製する工程に入れることで、高輝度で色度の安定した長寿命のLEDデバイスを提供することが出来る。【選択図】図1
請求項(抜粋):
LEDチップ搭載配線部と配線導体部とを有する基材上にLEDチップが実装されるLEDデバイスであって、前記LEDチップ搭載配線部にSiO2膜を有するLEDデバイス。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (9件):
5F041AA42 ,  5F041AA47 ,  5F041CA40 ,  5F041DA01 ,  5F041DA12 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA78 ,  5F041DB09
引用特許:
出願人引用 (1件)

前のページに戻る