特許

J-GLOBAL ID：200903030294567579

薄膜トランジスタおよびその製造方法並びにそれを用いた入 力または出力デバイス

発明者： 若井 晴夫 ,  宮川 達也
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-342239
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111333
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおいて、オフ電流を低減する。【構成】 半導体薄膜22の中央部はチャネル領域22aとされ、両外側はリンイオン等のn型の不純物が3×1015atom/cm2の高濃度で含有された領域からなるソース・ドレイン領域22bとされ、チャネル領域22aとソース・ドレイン領域22bの間はボロンイオン等のp型の不純物が1×1013atom/cm2の低濃度で含有された領域からなる他導電型不純物低濃度領域22cとされている。そして、他導電型不純物低濃度領域22cの存在により、オフ電流を低減することができる。

請求項（抜粋）：

チャネル領域と一導電型の不純物が高濃度に含有されたドレイン領域との間に他導電型の不純物が低濃度に含有された他導電型不純物低濃度領域を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

FI (2件)：

H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-020060
  
• 特開昭64-007567
  
• 特開平1-276755
  
• 特開平1-289917