特許
J-GLOBAL ID：200903030294923251
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338478
公開番号（公開出願番号）：特開平8-232060
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1996年09月10日
要約：
【要約】【課題】 基板の表面に形成する被膜の厚さの分布を均一にできるプラズマ処理方法を提供すること。【解決手段】 主ハース30の近傍に、主ハースの中心軸に対して同心的に永久磁石35とハースコイル36を配置する。このハースコイルに供給する電流を変化させることにより、物質の溶解能力を調整したり、また、蒸発物質の蒸発粒子の飛行分布を調整する。
請求項（抜粋）：
プラズマビームを発生するためのビーム発生源と、真空容器内に配置され前記プラズマビームの入射面を持つハースとを含み、前記ビーム発生源で発生されたプラズマビームを前記ハースの入射面に導き、処理を行うプラズマ処理方法において、前記ハースの近傍に前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された環状永久磁石により定常磁界を形成し、前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された電磁コイルにより調整磁界を前記定常磁界に重畳し、前記ハースの近傍の磁場を変化させることを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
C23C 14/24
, H01L 21/203
, H01L 21/3065
, H05H 1/42
C23C 14/24 T
, H01L 21/203 Z
, H05H 1/42
, H01L 21/302 B
