特許

J-GLOBAL ID：200903030295491630

光導波路素子の製造方法

発明者： 渡部 雅夫 ,  梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-053222
公開番号（公開出願番号）：特開2001-075133
出願日： 2000年02月29日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 光導波路素子の電気光学特性を損なうことなく、強誘電体薄膜からなる光導波路に接触するインジウム含有透明酸化物電極を形成することができる光導波路素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に、強誘電体薄膜からなる光導波路を形成する光導波路形成工程と、該光導波路に接触するインジウム含有透明酸化物電極を、酸素含有雰囲気下に0°C以上150°C未満の温度で所定形状に形成する電極形成工程と、形成された透明酸化物電極をアニール処理するアニール処理工程と、を有する光導波路素子の製造方法である。

請求項（抜粋）：

基板上に、強誘電体薄膜からなる光導波路を形成する光導波路形成工程と、該光導波路に接触するインジウム含有透明酸化物電極を、酸素含有雰囲気下に0°C以上150°C未満の温度で所定形状に形成する電極形成工程と、形成された透明酸化物電極をアニール処理するアニール処理工程と、を有する光導波路素子の製造方法。

IPC (2件)：

G02F 1/31 ,  G02B 6/12

FI (2件)：

G02F 1/31 ,  G02B 6/12 J

Fターム (20件)：

2H047LA13 ,  2H047NA02 ,  2H047PA04 ,  2H047QA03 ,  2H047QA07 ,  2H047RA08 ,  2H047TA22 ,  2H047TA31 ,  2K002AB01 ,  2K002AB04 ,  2K002AB06 ,  2K002AB07 ,  2K002BA06 ,  2K002CA03 ,  2K002DA05 ,  2K002DA08 ,  2K002EB08 ,  2K002FA07 ,  2K002GA07 ,  2K002HA03