特許

J-GLOBAL ID：200903030295555892

半導体記憶装置及び半導体記憶装置からのデータ読み出 し方法

発明者： 橋本 潔和
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-075766
公開番号（公開出願番号）：特開平8-273380
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 低い動作電圧下においても正確なデータ読み出しが可能な多値メモリを提供する。【構成】 一連の読み出し動作が3つのフェーズに分けられる。フェーズ1でワード線Xを2.25Vに駆動し、バイアス回路24及び差動増幅器21を活性化させてメモリセルのオン/オフを検出する。フェーズ2でワード線Xを3Vに駆動し、バイアス回路25及び差動増幅器22を活性化させてメモリセルに流れる電流を検出する。フェーズ3でワード線Xを3Vに駆動し、バイアス回路26及び差動増幅器23を活性化させてメモリセルのオン/オフを検出する。これにより、メモリセルのしきい値が4種類あるしきい値のどれであるか判断される。

請求項（抜粋）：

複数のワード線と、複数のディジット線と、前記ワード線と前記ディジット線の交点にそれぞれ設けられた複数のメモリセルと、アドレス信号に基づき選択されたワード線を第1及び第2の電圧のいずれか一方に駆動する駆動手段と、前記アドレス信号に基づき選択されたディジット線に流れるセル電流を検出する検出手段とを有し、前記検出手段は、前記選択されたワード線が前記第1の電圧に駆動されているときには前記セル電流と第1の定電流とを比較し、前記第2の電圧に駆動されているときには前記セル電流と前記第1の定電流とは異なる第2の定電流とを比較することを特徴とする半導体記憶装置。