化学機械的研磨装置及びこれを用いた化学機械的研磨方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-036425
公開番号（公開出願番号）：特開平9-234670
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】化学機械的研磨(CMP)装置を提供する。【解決手段】研磨しようとする半導体ウェーハ20が下に向かうように積載及び固定するウェーハキャリア29と、ウェーハキャリア29の下部に設けられ一定な速度で回転する研磨プラテン21と、研磨プラテン21上に設けられ半導体ウェーハの一面と接触する研磨パッド23と、終端に複数のノズル35を有しスラリー溶液30を研磨パッド23に供する螺旋状のスラリー供給ライン31と、スラリー供給ライン31にバルブ37により調節される純水を供給する純水供給ライン37と、を具備するCMP装置。これによりスラリー溶液に含まれた研磨剤の沈殿を防止し、半導体ウェーハに伝達されるスラリー溶液の量を均一に調整して研磨均一度を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを平坦化するための化学機械的研磨装置において、研磨しようとする半導体ウェーハが下に向かうように前記半導体ウェーハを積載及び固定するウェーハキャリアーと、前記ウェーハキャリアーの下部に設けられ一定な速度で回転可能な研磨プラテンと、前記研磨プラテン上に設けられ、前記半導体ウェーハの一面と接触できる研磨パッドと、前記研磨パッドにスラリー溶液を供する螺旋状のスラリー供給ラインとを具備することを特徴とする化学機械的研磨装置。

IPC (5件)：

B24B 57/02 , B24B 37/00 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , H01L 21/306

FI (5件)：

B24B 57/02 , B24B 37/00 F , H01L 21/304 321 E , H01L 21/304 321 M , H01L 21/306 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-135163
特開昭61-288973
特開平4-135163

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