特許

J-GLOBAL ID：200903030296463568

半導体レーザの作製方法

発明者： アルフレッド イー チョー ,  サン-ニー ジョージ チュ ,  クオチョウ タイ ,  エオン-ハー ワン
出願人/特許権者： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-329195
公開番号（公開出願番号）：特開平6-090057
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1994年03月29日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、レーザ空胴を少なくとも1つの分布ブラッグ反射器(DBR)に結合することを含む垂直空胴面発光レーザの作製方法に関する。【構成】 方法はガリウム砒素基板(10)上に組成が交互になった少なくとも10層を有する分布ブラッグ反射器(30、70)を成長させることを含む。基板の成長面は(100)面方向から(111)A面方向へ1°-7°の角だけ傾いている。これにより、結果としてDBRの反射率が改善される。

請求項（抜粋）：

ほぼ(100)の成長面を有するガリウムひ素基板を準備する工程、該成長面上に分布ブラッグ反射器(DBRとよぶ)をエピタキシャル成長させる工程及びVCSELを完成させるために、少なくとも1つの追加された工程を含む垂直空胴・面発光レーザ(VCSELとよぶ)の作製方法において、該成長面は(100)面の方向から(111)A面方向に少なくとも約1 ゚、しかし約7 ゚を超えない角だけ傾き、該DBRは組成が交互になった少なくとも10層を含むことを特徴とする方法。