特許
J-GLOBAL ID：200903030296710042
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001486
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204267
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】半導体装置製造の後工程のウェーハマウント、ダイシング、ダイボンディング時の、半導体素子への傷、汚れ、欠けを防止する。【構成】半導体ウェハ2の表面側にウェハ保持と表面保護を兼ねた粘着テープ1を貼り付け、半導体ウェハ2の裏面側からダイシングを行ない、ダイシングにより個々に分割された半導体素子3裏面側を粘着テープ1越しにダイボンディング用治具5で押圧し、剥がすと同時にリードフレーム4または半導体集積回路容器の素子搭載部に移送し搭載する。これにより、半導体素子表面は保護されたままダイシング、ダイボンディングが行なわれ、またダイボンディング時はコレット等の治具が直接半導体素子に接触すること無く行なわれ、半導体素子の傷、汚れ、欠けの発生を防止できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハを粘着テープに保持させ、ダイシング、ダイボンディングを行なう方法において、半導体ウェハの表面側に粘着テープを貼り付け半導体ウェハの裏面側からダイシングし、更にダイボンディング時半導体素子を粘着テープ越しに押圧することにより剥離し、リードフレームまたは半導体集積回路容器の素子搭載部に移送し搭載することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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