特許

J-GLOBAL ID：200903030298347530

スタティックRAM

発明者： 塚本 雅則
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182845
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037999
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタを負荷とするスタティックRAMにおいて、薄膜トランジスタのその水素化処理を充分に行うことができるようにする。【構成】 薄膜トランジスタTFTを負荷とするスタティックRAMにおいて、その表面から薄膜トランジスタTFTの薄膜半導体層1に接する層間絶縁層2に通じ、薄膜トランジスタTFTの薄膜半導体層1すなわちチャネル部を構成する薄膜半導体層1を水素化する水素供給用開口3を、スタティックRAMにおける複数ビットのセル毎に穿設する構成とする。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタを負荷とするスタティックRAMにおいて、その表面から上記薄膜トランジスタの薄膜半導体層に接する層間絶縁層に通じ、上記薄膜トランジスタの薄膜半導体層を水素化する水素供給用開口を、上記スタティックRAMにおける複数のセル毎に穿設したことを特徴とするスタティックRAM。

IPC (3件)：

H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 311 C