特許
J-GLOBAL ID：200903030298924350
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-212945
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066179
出願日： 1993年08月27日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：
【要約】【目的】 SOG膜をエッチバックした後に形成する絶縁膜の密着性を向上することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上に配線2を形成した後、全面にプラズマCVD膜3を形成する。次に、プラズマCVD膜3上にSOG膜4を形成した後、SOG膜4をエッチバックして、プラズマCVD膜3の一部を露出させ、表面の平坦化を行う。次いで、前記エッチバック後の表面にプラズマを照射した後、プラズマCVD膜7を形成する。
請求項（抜粋）：
スピンオングラス膜を形成する工程と、前記スピンオングラス膜をエッチバックする工程と、前記エッチバック後の表面にプラズマを照射する工程と、を含んだことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/304 341
, H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/302 L
, H01L 21/302 N
, H01L 21/90 Q
