半導体装置およびその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-131377
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318703
出願日： 1993年05月08日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】絶縁基板上に形成される薄膜半導体を用いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置(一般に薄膜トランジスタまたはTFTと呼ばれる)の構成、及びその作製方法に関する。【構成】絶縁基板101上に設けられた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置において、ゲイト絶縁膜107をSiOx Ny で構成することにより、静電気による絶縁破壊から絶縁ゲイト型電界効果半導体装置を守るとともに、ナトリウムイオンや重金属イオンの悪影響を抑制することができる。また、上記SiOx Ny 膜をクロールシランやジクロールシランを原料ガスとして形成することにより、塩素が添加されたSiOx Ny 膜とすることができ、該膜中の塩素の作用で、さらにナトリウムイオンや重金属イオンの悪影響を抑制することができる。

請求項（抜粋）：