特許

J-GLOBAL ID：200903030302371220

半導体装置の製造方法

発明者： 小野 玲司
出願人/特許権者： 東芝電子エンジニアリング株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233640
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097242
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 最上層がAu層からなるパッド電極を、そのAu層の表面が清浄に形成されかつ容易に形成しうる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 第1のTi層13をメッキ装置のカソード電極に接続して、湿式メッキ法により第1のAu層15上に第2のAu層19を2〜3μm程度形成する。このとき、第1のTi層13の表面は自然酸化膜18により被覆されており、第1のAu層15上のみに選択的にメッキを施すことができる。その後、第1のTi層15を除去する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の表面にパッド電極を形成する際に、半導体基板の絶縁膜上に第1の金属層を全面に形成する工程と、上記第1の金属層上に選択的に第2の金属層を形成する工程と、上記第1の金属層の露出した表面が酸化された状態のもとで、上記第1の金属層をカソード電極に接続し、湿式メッキ法を用いて上記第2の金属層上に第3の金属層を形成する工程と、上記第1の金属層の露出した部分を選択的に除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205