特許
J-GLOBAL ID：200903030302975690
光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-291782
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168353
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 光などの電磁波の信号を効率よく電気信号に変換することができる光素子を提供することを目的とする。【解決手段】 結合量子ドットやEIT層を用いて3準位系を半導体基板上に絶縁膜を介して形成する。この系は、多くの電子がコヒーレントに同じ状態をとるため、素子全体に渡って、外部から入力してきた微弱な信号を有効に吸収することが可能となる。電子を量子準位|1>もしくは|2>に分布させたときこの系は電気双極子を形成することになる。この電気双極子の状態により基板との電気キャパシタンスなどが変化し、基板を流れる電流値を変えることになる。しかも3準位系が分子あるいは量子ドットにまたがってコヒーレントに同じ状態を取るために、基板を流れる電流は効率よく検知される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた高抵抗層と、前記高抵抗層の上に設けられエネルギ準位αとエネルギ準位βとエネルギ準位γとを少なくとも有する検出部と、を備え、前記エネルギ準位αから前記エネルギ準位βへの遷移に対応するエネルギを有する第1の電磁波と前記エネルギ準位γから前記エネルギ準位βへの遷移に対応するエネルギを有する第2の電磁波とが前記検出部に照射されることによる前記検出部における電子状態の変化を前記高抵抗層の下部において前記半導体基板に流れる電流の変化として検出可能としたことを特徴とする光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/00 B
, H01L 31/10 E
