特許
J-GLOBAL ID:200903030305175066

内部増幅型固体撮像装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-313785
公開番号(公開出願番号):特開平7-170458
出願日: 1993年12月14日
公開日(公表日): 1995年07月04日
要約:
【要約】【目的】 内部増幅型固体撮像装置において、ショートチャネル効果を抑えて画素MOSトランジスタの縮小化を可能にし、周辺回路におけるMOSキャパシタの容量を大きくとれることを可能にする。【構成】 画素MOSトランジスタ31のゲート絶縁膜76の膜厚t1 を周辺回路内のMOSトランジスタ90のゲート絶縁膜83の膜厚t2 より小となし、さらに、周辺回路のMOSキャパシタ96の誘電体膜92及び多結晶シリコンによる他方の電極93を、夫々画素MOSトランジスタ31のゲート絶縁膜76及びゲート電極77と同一材質、同一膜厚(t1 =t3 ,d1 =d3 )で形成する。
請求項(抜粋):
画素MOSトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚が周辺回路内のMOSトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚より小とされたことを特徴とする内部増幅型固体撮像装置。
IPC (2件):
H04N 5/335 ,  H04N 5/14

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