特許

J-GLOBAL ID：200903030305314570

多結晶シリコン膜

発明者： 白井 肇 ,  東 正信
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-208769
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232073
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 短絡電流の高い多結晶シリコン膜系光起電力素子を与えるような実質的に非晶質シリコン相を含まない多結晶シリコン膜、及び該多結晶シリコン膜の効率的な製造方法を提供する。【解決手段】 水素、及びジクロルシラン等の塩素化シランガスを含む混合ガスであって、且つ該混合ガス中の塩素原子数に対する水素原子数の比(H/Cl)が1〜50である混合ガスを原料ガスとして用いて、プラズマ化学蒸着法によりガラス基板等の基層上に多結晶シリコンを析出させ、実質的に非晶質シリコン相を含まない多結晶シリコン膜を形成する。

請求項（抜粋）：

基層上にプラズマ化学蒸着法で形成された多結晶シリコン膜であって、実質的に非晶質シリコン相を含まないことを特徴とする多結晶シリコン膜。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  H01L 31/04 X