特許

J-GLOBAL ID：200903030306438680

SONOS型メモリ素子

発明者： 田 ▲尚▼ 勳 ,  金 ▲禎▼ 雨 ,  馬 東 俊 ,  崔 聖 圭
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-018224
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268756
出願日： 2005年01月26日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】 リテンション特性を正常に維持しつつ駆動電圧の低いSONOS型メモリ素子を提供する。【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板上に所定の間隔で離隔されて形成され、その間にチャンネルが形成されている第1不純物領域および第2不純物領域と、前記第1不純物領域と第2不純物領域の間の半導体基板上にトンネリング酸化膜、データが保存されるメモリノード層、ブロッキング酸化膜および電極層の順に形成されデータ保存型積層物と、を備え、前記メモリノード層の誘電定数が前記トンネリング酸化膜および前記ブロッキング酸化膜の誘電定数より高く、前記トンネリング酸化膜および前記ブロッキング酸化膜は高誘電体絶縁膜であるSONOS型メモリ素子。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板上に所定の導電性不純物が注入されたものであって、所定間隔で離隔されており、その間にチャンネルが形成されている第1不純物領域および第2不純物領域と、 前記第1不純物領域と第2不純物領域の間の半導体基板上に形成されたデータ保存型積層物と、を備え、 前記データ保存型積層物は、トンネリング酸化膜、データが保存されるメモリノード層、ブロッキング酸化膜および電極層の順に積層されて形成され、 前記メモリノード層の誘電定数が前記トンネリング酸化膜および前記ブロッキング酸化膜の誘電定数より高く、前記メモリノード層のバンドオフセットが前記トンネリング酸化膜および前記ブロッキング酸化膜のバンドオフセットより低く、 前記トンネリング酸化膜および前記ブロッキング酸化膜は高誘電体絶縁膜であることを特徴とするSONOS型メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (20件)：

5F083EP17 ,  5F083EP18 ,  5F083EP23 ,  5F083EP44 ,  5F083EP49 ,  5F083ER02 ,  5F083ER30 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083JA02 ,  5F101BA42 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BC11 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-034978
  
• 不揮発性半導体メモリ装置の動作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-001403   出願人：ソニー株式会社
• 不揮発性メモリ及び不揮発性メモリの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-194150   出願人：日本電気株式会社, NECエレクトロニクス株式会社