特許

J-GLOBAL ID：200903030311916531

光電変換装置

発明者： 坂井 智嗣 ,  浅原 裕司 ,  小林 靖之 ,  森 匡史 ,  鶴我 薫典 ,  山下 信樹
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (2件)： 藤田 考晴 ,  上田 邦生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-088596
公開番号（公開出願番号）：特開2009-246031
出願日： 2008年03月28日
公開日（公表日）： 2009年10月22日
要約：

【課題】透明導電層を最適化することによって、光電変換装置の短絡電流を向上させる。【解決手段】基板1上に第1透明電極層2と、発電層3と、第2透明電極層6と、裏面電極層4とを備える光電変換装置100であって、前記第2透明電極層6の膜厚が80nm以上100nm以下であり、波長600nm以上1000nm以下の領域における前記第2透明電極層6の光吸収率が1.5%以下であることを特徴とする光電変換装置。及び、前記第2透明電極層6の膜厚が80nm以上100nm以下であり、前記第2透明電極層6及び前記裏面電極層4で反射された光の反射率が、波長600nm以上1000nm以下の領域で91%以上であることを特徴とする光電変換装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に第1透明電極層と、発電層と、第2透明電極層と、裏面電極層とを備える光電変換装置であって、 前記第2透明電極層の膜厚が80nm以上100nm以下であり、 波長600nm以上1000nm以下の領域における前記第2透明電極層の光吸収率が1.5%以下であることを特徴とする光電変換装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 H ,  H01L31/04 M

Fターム (11件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051CB12 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051FA03 ,  5F051FA15 ,  5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公昭60-41878号公報
  

審査官引用 (8件)

• 光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-304752   出願人：三菱重工業株式会社
• 光起電力素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-325714   出願人：三洋電機株式会社
• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-076849   出願人：三洋電機株式会社
• タンデム型シリコン系薄膜光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-007651   出願人：三菱重工業株式会社
• シリコン系薄膜光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-100664   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-269423   出願人：キヤノン株式会社
• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-011821   出願人：シャープ株式会社
• 光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-134982   出願人：三洋電機株式会社