特許

J-GLOBAL ID：200903030314870362

多層配線基板の製造方法

発明者： 京井 正之 ,  岩村 亮二 ,  室岡 秀保 ,  岡市 正樹 ,  杉山 寿 ,  北村 直也 ,  山口 欣秀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066790
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283859
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 基板に発生する反りを、絶縁性材料の線膨張係数を改善することなく絶縁性膜層形成時に抑止することができる多層配線基板の製造方法の提供。【構成】 多層配線基板の絶縁膜層を形成する工程において、該絶縁膜層の横方向に圧縮力を付与しながら冷却する。

請求項（抜粋）：

薄膜で絶縁層と配線層を交互に形成し、多層基板を接着成形するプロセスにおいて、冷却後の基板の反りを抑止するために、絶縁膜層を形成する工程において、絶縁膜層に横方向の圧縮力を付与しながら冷却することを特徴とする多層配線基板の製造方法。