特許
J-GLOBAL ID：200903030319356632
薄膜の評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-197273
公開番号（公開出願番号）：特開2005-037153
出願日： 2003年07月15日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】簡易な方法により評価に必要な時間及びコストを低減することができるとともに、デバイス設計に有用な結果を得ることができる薄膜の評価方法を提供する。【解決手段】本発明の薄膜の評価方法は、基板上に形成された薄膜の評価方法であり、前記薄膜を備えたデバイスの特定デバイス特性を示す仮想値を算出する仮想値算出ステップと、前記薄膜を備えた前記デバイスを作成し、前記デバイスの前記特定デバイス特性の測定値を計測する測定値計測ステップと、前記薄膜の特定材料定数の変動に対する前記特定デバイス特性の変化率を算出する変化率算出ステップと、前記測定値若しくは前記測定値に基づいて得られた近似値の前記仮想値に対する偏差を低減するように前記変化率を用いて特定材料定数の評価値を算出する特定材料定数算出ステップと、を有することを特徴とする。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基板上に形成された薄膜の評価方法において、
前記薄膜を備えたデバイスの特定デバイス特性の仮想値を算出する仮想値算出ステップと、
前記デバイスの前記特定デバイス特性の測定値を計測する測定値計測ステップと、
前記仮想値を算出するために用いる前記薄膜の材料定数のうちの特定材料定数を変化させて前記仮想値を前記測定値若しくは前記測定値に基づいて得られた近似値に合わせることにより、前記特定材料定数の変化量に対応する評価値を求める評価値算出ステップと、
を有することを特徴とする薄膜の評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
2G047AA05
, 2G047BC02
, 2G047BC20
, 2G047CA01
, 2G047EA16
, 5J097HB08
