特許
J-GLOBAL ID：200903030323846350
静磁波装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146734
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307314
出願日： 1996年05月15日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】 帯域通過フィルタとして用いたときに挿入損失が小さく通過帯域幅が広い、静磁波装置を提供する。【解決手段】 静磁波装置10は、フェリ磁性基体としてたとえば厚さ50μmのYIG薄膜12を含む。YIG薄膜12の一方主面には、接着用の下地16を介して、トランスデューサ18aおよび18bが間隔を隔てて形成される。下地16は、YIG薄膜12の一方主面に、たとえばTiおよびPdをそれぞれ80nmおよび150nmの厚さに順に付着することによって形成される。トランスデューサ18aおよび18bは、それぞれ、下地16の表面に、たとえば金などのように導電性および耐久性はよいがYIG薄膜12に直接付着しにくい導体材料を1μmの厚さに付着することによって形成される。
請求項（抜粋）：
フェリ磁性基体、および前記フェリ磁性基体の一方主面上に配置されるトランスデューサを含み、前記フェリ磁性基体の一方主面と前記トランスデューサとの間の距離が、前記フェリ磁性基体の厚さより短い、静磁波装置。
IPC (3件)：
H01P 1/23
, H01P 1/218
, H01P 3/00
H01P 1/23
, H01P 1/218
, H01P 3/00
