特許
J-GLOBAL ID:200903030330264561
光半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
中村 恒久
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-180896
公開番号(公開出願番号):特開平11-026647
出願日: 1997年07月07日
公開日(公表日): 1999年01月29日
要約:
【要約】【課題】 トランスファモールド用金型の型締めによるメッキ配線へのダメージを防止できる光半導体装置を提供する。【解決手段】 基板1上の透光性モールド体4に覆われる位置に、一対のスルーホール6a,6bを形成する。メッキ配線2a,2bを基板1の表面からスルーホール6a,6bを介して基板1の裏面に達するように形成する。基板1の凹部1aのメッキ配線2a上に、光学素子3をダイボンディングして搭載し、金線5にてワイヤボンディングしてメッキ配線2bに接続する。光学素子3の周囲に透光性樹脂を用いて、トランスファモールド成形にて透光性モールド体4を形成する。
請求項(抜粋):
基板と、該基板上に形成された配線と、該配線上に搭載された光学素子と、該光学素子および配線の一部をモールドしてなる透光性モールド体とを備えた光半導体装置において、前記配線は、前記透光性モールド体の基板上の周縁部分を回避して形成されたことを特徴とする光半導体装置。
IPC (7件):
H01L 23/28
, B29C 45/02
, B29C 45/70
, H01L 23/12
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 33/00
FI (6件):
H01L 23/28 D
, B29C 45/02
, B29C 45/70
, H01L 33/00 E
, H01L 23/12 Q
, H01L 23/30 F
引用特許:
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