特許
J-GLOBAL ID：200903030333053464
半導体光導波路およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-293867
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110208
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 微小なスポットサイズをもつ選択成長リッジ光導波路を得る。【構成】 化合物半導体の(111)面をもつInP基板9上にストライプ状の間隙をもつ選択成長用SiO2 マスク13を形成し、このマスク13間に光導波路用単結晶膜を選択成長させ、基板面に対して垂直な側面(0 バー1 1)面14および側面(0 1 バー1)面15を有するリッジ構造16を設けた。
請求項（抜粋）：
化合物半導体の{111}面をもつ基板上にストライプ状のマスクを形成し、このマスク間に前記基板面に対して垂直な側面を有する光導波路用単結晶膜を設けたことを特徴とする半導体光導波路。
IPC (2件)：
引用特許：
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