炭化珪素半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-301540
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140067
出願日： 2002年10月16日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】低オン抵抗の高耐圧電界効果トランジスタである炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体基体中の第1導電型のドレイン領域10と、ドレイン領域10と接続されて形成される第1導電型のドリフト領域20と、ドリフト領域20上の所定領域に形成され、炭化珪素半導体とヘテロ接合する第2導電型のヘテロ半導体領域60と、第2導電型のヘテロ半導体領域60に接続するように形成され、ドリフト領域20には接続されない第1導電型のヘテロ半導体領域50と、第2導電型のヘテロ半導体領域60の表面に形成され、少なくともドリフト領域20及び第1導電型のヘテロ半導体領域50まで延設されるゲート絶縁膜30と、ゲート絶縁膜30の上に形成されたゲート電極40と、ドレイン領域10に接触するドレイン電極90と、第1導電型のへテロ半導体領域50に接触するソース電極80とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素半導体基体中の第1導電型のドレイン領域と、該ドレイン領域と接続されて形成される第1導電型のドリフト領域と、該ドリフト領域上の所定領域に形成され、炭化珪素半導体とヘテロ接合する第2導電型のヘテロ半導体領域と、該第2導電型のヘテロ半導体領域に接続するように形成され、前記ドリフト領域には接続されない第1導電型のヘテロ半導体領域と、前記第2導電型のヘテロ半導体領域の表面に形成され、少なくとも前記ドリフト領域及び前記第1導電型のヘテロ半導体領域まで延設されるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記ドレイン領域に接触するドレイン電極と、前記第1導電型のへテロ半導体領域に接触するソース電極と、を備えたことを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (9件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652B , H01L29/78 652C , H01L29/78 652E , H01L29/78 652J , H01L29/78 653A , H01L29/78 654Z , H01L29/78 655A , H01L29/78 301B

Fターム (18件)：

5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AC13 , 5F140AC19 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140AC24 , 5F140BA02 , 5F140BA16 , 5F140BB02 , 5F140BB04 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BC11 , 5F140BF43 , 5F140BH05 , 5F140BH28 , 5F140BH30

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-289794 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-289794 出願人：株式会社東芝

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