特許

J-GLOBAL ID：200903030335333944

半導体装置の製造方法

発明者： 平野 貴一 ,  曽谷 直哉 ,  山路 敏文 ,  森本 佳宏 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199982
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051100
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】 熱処理にRTA法を用いた場合における基板の反りや破損を防止すること。【解決手段】 ガラス基板1上に多結晶Si膜4を形成し、この多結晶Si膜2の上に、ゲート絶縁膜5を介してゲート電極6を形成し、多結晶Si膜4に、ソース/ドレイン領域9となる不純物領域を形成し、この不純物領域をRTA法により熱処理して活性化する。そして、このRTAによる熱加熱は6回を1単位として行うとともに、加熱温度を初回から最終回にかけて段階的に上昇させる。

請求項（抜粋）：

基板上に半導体素子を形成する過程の熱処理にRTA法(Rapid Thermal Annealing)を用いるものにおいて、前記RTAによる熱加熱を複数回を1単位として行うとともに、加熱温度を初回から最終回にかけて段階的に上昇させることを特徴とした半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 627 F