特許

J-GLOBAL ID：200903030336164771

ウエハダイシング方法および該方法に用いる放射線照射装置

発明者： 小暮 正男 ,  峯浦 芳久 ,  野口 勇人
出願人/特許権者： リンテツク株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192378
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036828
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【構成】粘着シート上に貼着されたウェハを切断して素子小片に分離し、粘着剤層に放射線を照射して該粘着剤層の粘着力を低下させ、素子小片のピックアップを行なうウェハダイシング方法において、 粘着剤層に放射線を照射するにあたり、粘着剤層のうちウェハが貼着されている部分に照射される放射線量を、ウェハが貼着されていない部分に照射される放射線量の90%以下にする。【効果】エキスパンディング工程において、所望のチップ間隔を得ることが容易になり、過剰のエキスパンディングが不要になる。

請求項（抜粋）：

基材と、放射線が照射されると粘着力が低下する粘着剤層とを備えたウェハ貼着用粘着シートの粘着剤層上に貼着されたウェハを切断して素子小片に分離し、粘着剤層に放射線を照射して該粘着剤層の粘着力を低下させ、素子小片のピックアップを行なうウェハダイシング方法において、粘着剤層に放射線を照射するにあたり、粘着剤層のうちウェハが貼着されている部分に照射される放射線量を、ウェハが貼着されていない部分に照射される放射線量の90%以下にすることを特徴とするウェハダイシング方法。