特許

J-GLOBAL ID：200903030343259966

半導体レーザおよび光源装置

発明者： 佐藤 亙
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 高梨 幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-144999
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344060
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：

【要約】【課題】 マルチビーム時のリードビン数を増した半導体レーザ使用時の組立性向上を目的とする。【解決手段】 リードピンが異なる長さで構成され、また異なる内周上に配置される半導体レーザ。

請求項（抜粋）：

レーザ光を出射するレーザチップとレーザ光をモニタする受光素子を有し、該レーザチップと該受光素子を支持するステムおよび電気的に接続するリードピンを有する半導体レーザにおいて、前記リードピンは少なくとも2種類以上の異なる長さであることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (4件)：

H01S 5/022 ,  B41J 2/44 ,  G02B 26/10 ,  G11B 7/125

FI (4件)：

H01S 5/022 ,  G02B 26/10 B ,  G11B 7/125 A ,  B41J 3/00 D

Fターム (23件)：

2C362AA03 ,  2C362AA10 ,  2C362AA13 ,  2C362AA14 ,  2C362AA15 ,  2C362AA42 ,  2C362AA43 ,  2C362AA45 ,  2C362AA53 ,  2C362BA84 ,  2H045CB41 ,  2H045DA02 ,  5D119AA38 ,  5D119AA40 ,  5D119BA01 ,  5D119FA05 ,  5D119FA33 ,  5F073AB27 ,  5F073BA06 ,  5F073FA02 ,  5F073FA08 ,  5F073FA28 ,  5F073FA29