特許
J-GLOBAL ID：200903030349469040
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180648
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029258
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】段差被覆性が良く、平坦な表面形状の金属薄膜を形成することによって、半導体装置の信頼性や歩留りを向上させる。【構成】気相化学成長法によって、第1のアルミニウム膜4Aを接続孔3の半径以上の膜厚まで堆積させる。これによって、酸化シリコン膜2に開口した接続孔3はほぼ完全に平坦に埋め込まれる。次に、スパッタリングによって第2のアルミニウム膜4Bを堆積させて厚膜化すると、表面形状の滑らかな金属薄膜が形成できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を形成したのちパターニングし接続孔を形成する工程と、この接続孔を含む全面に気相化学成長法により第1の金属膜を形成したのちスパッタリング法または蒸着法により第2の金属膜を形成し接続孔を埋める工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 R
