特許

J-GLOBAL ID：200903030351580587

不揮発性メモリ装置及びその製造方法

発明者： 金 鍾翰 ,  崔 定▲ひゅく▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-357295
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040755
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】 ソースパッドラインとセルフアラインされたコンタクトとにより集積度をさらに上げた不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】 半導体基板に形成の素子分離領域により画定された活性領域105と、半導体基板と絶縁されて活性領域上に形成される第1ゲート及び第1ゲートと絶縁されて第1ゲート及び素子分離領域上に延設される第2ゲートからなるスタック型ゲートと、スタック型ゲート間の活性領域内に形成されるソース領域と、スタック型ゲート上に形成される第1層間絶縁膜と、スタック型ゲートによりセルフアラインされてスタック型ゲート間のソース領域及び素子分離領域を露出させる第1コンタクトホールと、第1コンタクトホール内に形成されて露出したソース領域をスタック型ゲートに平行に接続するソースパッドライン145と、ソースパッドラインに接続されスタック型ゲートに垂直なソースライン180と、を含んで構成されることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成の素子分離領域により画定された活性領域と、半導体基板と絶縁されて活性領域上に形成される第1ゲート及び第1ゲートと絶縁されて第1ゲート及び素子分離領域上に延設される第2ゲートからなるスタック型ゲートと、スタック型ゲート間の活性領域内に形成されるソース領域と、スタック型ゲート上に形成される第1層間絶縁膜と、スタック型ゲートによりセルフアラインされてスタック型ゲート間のソース領域及び素子分離領域を露出させる第1コンタクトホールと、第1コンタクトホール内に形成されて露出したソース領域をスタック型ゲートに平行に接続するソースパッドラインと、ソースパッドラインに接続されスタック型ゲートに垂直なソースラインと、を含んで構成されることを特徴とする不揮発性メモリ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (38件)：

5F001AA25 ,  5F001AA43 ,  5F001AB08 ,  5F001AD51 ,  5F001AD53 ,  5F001AD62 ,  5F001AE50 ,  5F001AG07 ,  5F001AG12 ,  5F001AG28 ,  5F001AG30 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083ER22 ,  5F083GA02 ,  5F083GA09 ,  5F083GA28 ,  5F083GA30 ,  5F083JA04 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083KA05 ,  5F083KA12 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083LA21 ,  5F083MA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083MA20 ,  5F083NA02