特許
J-GLOBAL ID：200903030354840580
ドライエッチング装置およびドライエッチング方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-156444
公開番号（公開出願番号）：特開平9-003666
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：
【要約】【目的】 リアクティブイオンエッチング(略称RIE)における電気絶縁性基板上の導電膜のエッチング速度を制御すること。【構成】 たとえば大形液晶表示パネルの電気絶縁性基板上に金属膜が形成された被加工物を、ターゲット電極と接地された対向電極との間のプラズマ放電空間に臨んで配置し、ターゲット電極に高周波電源を接続して平行平板形スパッタエッチングを行い、金属膜のほぼジャストエッチング時にプラズマ放電空間の発光輝度のたとえば上昇を検出して、前記金属膜に、対向電極に対して正であってかつフローティング電圧Vpを超える値の直流電圧V1を印加する。
請求項（抜粋）：
プラズマ放電空間に臨んで配置されるターゲット電極と、そのターゲット電極に対向する対向電極とに高周波電源が接続されてリアクティブイオンエッチングを行うドライエッチング装置において、ターゲット電極上に載置される電気絶縁性基板のプラズマ放電空間に臨む表面に形成された導電膜に、対向電極に対して正の直流電圧を印加する直流電源手段を含み、前記直流電圧は、導電膜を有する前記電気絶縁性基板のプラズマ放電空間側の導電膜に前記直流電圧を印加しないときの平衡状態におけるフローティング電圧を超える予め定める値に選ばれることを特徴とするドライエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23F 4/00 C
, H01L 21/302 E
